干法刻蝕與濕法刻蝕

在半導(dǎo)體制造中有兩種基本的刻蝕工藝：干法刻蝕和濕法腐蝕。

干法刻蝕，是利用氣態(tài)中產(chǎn)生的等離子體，通過(guò)經(jīng)光刻而開(kāi)出的掩蔽層窗口，與暴露于等離子體中的硅片行物理和化學(xué)反應(yīng)，刻蝕掉硅片上暴露的表面材料的一種工藝技術(shù)法[1]。該工藝技術(shù)的突出優(yōu)點(diǎn)在于，可以獲得極其精確的特征圖形。超大規(guī)模集成電路的發(fā)展，要求微細(xì)化加工工藝能夠嚴(yán)格的控制加工尺寸，要求在硅片上完成極其精確的圖形轉(zhuǎn)移。任何偏離工藝要求的圖形或尺寸，都可能直接影響產(chǎn)品性能或品質(zhì)，給生產(chǎn)帶來(lái)無(wú)法彌補(bǔ)的損害。由于干法刻蝕技術(shù)在圖形軼移上的突出表現(xiàn)，己成為亞微米尺寸下器件刻蝕的最主要工藝方法。在特征圖形的制作上，已基本取代了濕法腐蝕技術(shù)。

對(duì)于濕法腐蝕，就是用液體化學(xué)試劑(如酸、堿和溶劑等)以化學(xué)的方式去除硅片表面的材料。當(dāng)然，在通過(guò)濕法腐蝕獲得特征圖形時(shí)，也要通過(guò)經(jīng)光刻開(kāi)出的掩膜層窗口，腐蝕掉露出的表面材料。但從控制圖形形狀和尺寸的準(zhǔn)確性角度而言，在形成特征圖形方面，濕法 腐蝕一般只被用于尺寸較大的情況(大于3微米)。由于這一特點(diǎn)，濕法腐蝕遠(yuǎn)遠(yuǎn)沒(méi)有干法刻蝕的應(yīng)用廣泛。但由于它的高選擇比和批量制作模式，濕法腐蝕仍被廣泛應(yīng)用在腐蝕層間膜、去除干法刻蝕殘留物和顆粒等工藝步驟中。